Установки магнетронного распыления
Общее описание
Метод магнетронного распыления позволяет наносить на подложки тонкопленочные покрытия практически из любых материалов: металлов, полупроводников и даже диэлектриков. Применение данного метода для синтеза многослойных рентгеновских зеркал получило широкое распространение в мире. Синтезированные с развитием и усовершенствованием технологии зеркала позволили достичь существенных успехов в различных областях науки и техники, таких как физика Солнца, изучение высокотемпературной лабораторной плазмы, проекционная рентгеновская литография, рентгеновская микроскопия и др.
В нашей лаборатории эта технология реализована на 7-ми установках. Часть из них оснащена двумя магнетронными источниками, часть – четырьмя и часть – шестью. Размеры распыляемых мишеней и вакуумных камер позволяют наносить тонкопленочные покрытия на подложки с диаметрами до 350 мм. Равномерность толщины пленок по площади даже подложек с кривизной составляет десятые доли процента. Загрузка образцов на некоторых установках проводится через шлюзовую камеру, что существенно экономит трудозатраты и повышает качество напыляемых структур.
Технические характеристики
|
Количество магнетронов, шт. |
2, 4, 6 |
|
Максимальный размер подложек в диаметре, мм |
350 |
|
Форма поверхности подложек |
Плоские, вогнутые или выпуклые. При наличии кривизны желательна осевая симметрия |
|
Распыляемые материалы |
Металлы, неметаллы – полупроводники, диэлектрики. Возможно распыление магнитных материалов |
|
Скорость роста пленок, нм/сек |
~ 0.1-1.0 |
|
Равномерность толщины покрытия по площади подложки, % |
< 1 |
|
Реактивное магнетронное распыление |
Ar + O2, N2, Kr, Ne, He, Xe |
|
Возможность ВЧ-распыления |
Да |
|
Тип перемещения подложкодержателя |
Круговой, линейный |
Установки, оснащенные 4-мя и 6-ю магнетронами
Позволяют проводить распыление бериллия.
Установка, оснащенная 4-мя протяженными магнетронами
Предназначена для напыления покрытий на крупногабаритные подложки.
Установка, оснащенная 4-мя магнетронами
Данная система позволяет проводить распыление мишеней и полировку подложек с помощью ионного пучка. Загрузка образцов проводится через шлюзовую камеру, которая находится внутри «чистого» бокса.
Установка, оснащенная 6-ю магнетронами
Установка, оснащенная 4-мя магнетронами
Предназначена для напыления тонкопленочных фильтров.
Кстовский район, деревня Афонино,
ул. Академическая, д. 7